Silicon Power Mémoire RAM SP004GBLFU266X02 1x4GB DDR4 2666Mhz
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Capacité : 2 666 MHz : 4 Go ~ 32 Go Tension : 1,2 V Facteur de forme : UDIMM 260 broches non ECC Fréquence : (vitesse) 2133 MHz, 2 400 MHz, 2 666 MHz, 3 200 MHz, la vitesse réelle peut varier en fonction de la plate-forme ou de la configuration du système Latence CAS : CL15(2133), CL17(2400), CL19(2666), CL22(3200)