SILICON POWER SP004GBSFU266X02 MODULE DE MÉMOIRE 4 GO 1 X 4 GO DDR4 2666 MHZ
320,00 MAD
Silicon Power SP004GBSFU266X02, 4 Go, 1 x 4 Go, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM
MEMOIRE SILICON POWER DDR4 8GB 2666MT/s CL 19 UDIMM 1Gx8 SP008GBLFU266X02
480,00 MAD
Silicon Power SP008GBLFU266X02. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Support de mémoire: 288-pin DIMM, Latence CAS: 19
Silicon Power Mémoire RAM SP004GBLFU266X02 1x4GB DDR4 2666Mhz
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Capacité : 2 666 MHz : 4 Go ~ 32 Go Tension : 1,2 V Facteur de forme : UDIMM 260 broches non ECC Fréquence : (vitesse) 2133 MHz, 2 400 MHz, 2 666 MHz, 3 200 MHz, la vitesse réelle peut varier en fonction de la plate-forme ou de la configuration du système Latence CAS : CL15(2133), CL17(2400), CL19(2666), CL22(3200)
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Capacité : 2 666 MHz : 4 Go ~ 32 Go Tension : 1,2 V Facteur de forme : UDIMM 260 broches non ECC Fréquence : (vitesse) 2133 MHz, 2 400 MHz, 2 666 MHz, 3 200 MHz, la vitesse réelle peut varier en fonction de la plate-forme ou de la configuration du système Latence CAS : CL15(2133), CL17(2400), CL19(2666), CL22(3200)