Mémoire RAM Netac 1x8GB DDR4 2666Mhz (NTBSD4N26SP-08)
400.00 HT
480,00 MAD
TTC
Réference: NTBSD4N26SP-08
Marque:- Modèle : Basic SO DDR4-2666
- Facteur de forme : SODIMM 260 broches
- Capacité : 8 Go
- Fréquence : DDR4 2666 MHz
- Bande passante : PC4-21300
- Timing : 19-19-19-43
- Tension : 1,2 V
-
Garanties sécurité
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Politique de livraison
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Politique retours
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Type: Mémoire RAM DDR3
Capacité: 2, 4 et 8 GB
Format: SO-DIMM
Prise en charge ECC: non-ECC
Fréquence: 1600 MHz PC3-12800
Compatibilité: Pour les PC Portables
BARRETTE MÉMOIRE SILICON POWER SODIMM 8G DDR4 2666 MHZ (SP008GBSFU266X02)
480,00 MAD
- Capacité : 8 Go
- Tension : 1,2 V
- Facteur de forme : SODIMM
- Vitesse testée : 2 666 MT/s *La vitesse réelle peut varier en fonction de la plate-forme ou de la configuration du système.
- Latence CAS : CL19(2666)
- Attestation : CE, FCC, point vert, DEEE, RoHS
Silicon Power Module Mémoire SODIMM DDR4 16 GB 3200 Mhz (SP016GBSFU320X02)
648,00 MAD
- Capacité : 16 Go
- Tension : 1,2 V
- Facteur de forme : SODIMM
- Vitesse testée : 3 200 MT/s
- Latence CAS : CL22(3200)
- Attestation : CE, FCC, point vert, DEEE, RoHS
SILICON POWER SP004GBSFU266X02 MODULE DE MÉMOIRE 4 GO 1 X 4 GO DDR4 2666 MHZ
320,00 MAD
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Module mémoire DDR4 SODIMM Silicon Power DDR4 3200MHz 8Go (SP008GBSFU320X02)
372,00 MAD
- Capacité : 8 Go
- Voltage : 1.2V
- Facteur de forme : SODIMM
- Fréquences : 3200MHz
*La vitesse réelle peut varier en fonction de la plate-forme ou de la configuration du système. - Latence CAS : CL22(3200)
- Certification : CE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS
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Capacité : 16GB
Dimensions : 30.0mm x 69.6mm
Voltage : 1.1V
Form Factor : SODIMM
Frequency (Speed) : 4800MHz
CAS Latency : CL40
Certification : CE, UKCA, Green dot (Germany & Spain Only), WEEE, Triman, RoHS